便携式磁共振多源射频脉冲发生器设计
刘颖, 袁斌华, 章浩伟

Design of a Portable Magnetic Resonance Multi-source RF Pulse Generator
LIU Ying, YUAN Binhua, ZHANG Haowei
表1 1 GB Dual DDR3 SDRAM的15个内存子测试数据模式及连续写入压力测试结果
Table 1 1 GB Dual DDR3 SDRAM with 15 memory sub-test data patterns and sequential write stress test results
子测试 数据模式描述 比较字和字节读取值
与写入值出现错误计数
耗时/s
Memtest_0 (0) 递增模式, 写入每个内存地址的唯一值(数据 = 地址) 0 35.6024
Memtest_s (1) 写入0x00000000 0 22.9253
Memtest_s (2) 写入0xFFFFFFFF 0 22.9270
Memtest_s (3) 写入0xAAAAAAAA 0 22.9270
Memtest_s (4) 写入0x55555555 0 22.9253
Memtest_s (5) 交替写入0x00000000和0xFFFFFFFF 0 22.9270
Memtest_s (6) 交替写入0xFFFFFFFF和0x00000000 0 22.9270
Memtest_s (7) 交替写入0x55555555和0xAAAAAAAA 0 22.9270
Memtest_s (8) 交替写入0xAAAAAAAA和0x55555555 0 22.9253
Memtest_p (9) 干扰模式: 8 bits中每bit相同且每bit干扰一次 0 35.0279
Memtest_p (10) 干扰模式: 8 bits中每bit反转且每bit干扰一次 0 35.0385
Memtest_l (11) 具有不同种子的伪随机模式 0 36.6623
Memtest_l (12) 具有不同种子的伪随机模式 0 36.6623
Memtest_l (13) 具有不同种子的伪随机模式 0 36.6623
Memtest_l (14) 具有不同种子的伪随机模式 0 36.6623